高性能FIB-SEM系统

Ethos”采用日立高新的核心技术--全球领先的高亮度冷场发射电子枪及新研发的电磁复合透镜，不但可以在低加速电压下实现高分辨观察，还可以在FIB加工时实现实时观察。
SEM镜筒内标配3个探测器，可同时观察到二次电子信号的形貌像以及背散射电子信号的成分衬度像；可非常方便的帮助FIB找寻到纳米尺度的目标物，对其观察以及加工分析。
另外，全新设计的超大样品仓设置了多个附件接口，可安装EDS*1和EBSD*2等各种分析仪器。而且NX5000标配超大防振样品台，可全面加工并观察最大直径为150mm的样品。
因此，它不仅可以用于最先进半导体器件的检测，而且还可以用于从生物到钢铁磁性材料等各种样品的综合分析。

核心理念

1. 搭载两种透镜模式的高性能SEM镜筒

HR模式下可实现高分辨观察（半内透镜）
FF模式下可实现高精度加工终点检测（Timesharing Mode）

2. 高通量加工

可通过高电流密度FIB实现快速加工（最大束流100nA）
用户可根据自身需求设定加工步骤

3. Micro Sampling System*3

运用ACE技术（加工位置调整）抑制Curtaining效应
控制离子束的入射角度，制备厚度均匀的薄膜样品

4. 实现低损伤加工的Triple Beam System*3

采用低加速（Ar/Xe）离子束，实现低损伤加工
去除镓污染

5. 样品仓与样品台适用于各种样品分析

多接口样品仓（大小接口）
超大防振样品台（150 mm□）

操作流程

应用范围

项目		内容
FIB	二次电子像分辨率（C.P）	4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
	加速电压	0.5 kV – 30 kV
	探针电流范围	0.05 pA – 100 nA
	离子源	GA液体金属离子源
SEM	二次电子像分辨率（C.P）	1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV
	加速电压	0.1 kV – 30 kV
	探针电流范围	5 pA – 10 nA
	电子枪	冷场场发射电子枪
标准探测器		In-Column二次电子探测器 SE（U） In-Column背散射电子探测器 BSE（U） In-Column背散射电子探测器 BSE（L） Chamber二次电子探测器 SE（L）
驱动范围（5轴反馈控制）	X	155 mm
	Y	155 mm
	Z	16.5 mm
	R	0 - 360° 旋转
	T	-10～59°
样品尺寸		最大直径 150 mm
选配		Ar/Xe离子束系统 Micro Sampling System 气体注入系统（双室或三室贮气筒）碳铂钨电动搬运式样品交换仓连续自动加工软件连续A-TEM2 各种样品杆 EDS（能谱仪） EBSD（电子背散射衍射）